特許
J-GLOBAL ID：200903021501600558
位相シフト型回折格子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343806
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 煩雑な位相シフト型回折格子の製造方法を簡略化し、かつ、回折格子を精度良く形成できる製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にホトレジスト2を塗布(a)。その上に、周期的に厚い部分と薄い部分とが交互に形成されて凸部と凹部とを成す誘電体膜3を貼り付ける(b)。入射角の異なる2つの同一波長のレーザ光を表面に照射して干渉縞の光の強弱を利用してホトレジスト2を周期状に露光(c)。誘電体膜3を取り外した後、このホトレジスト2を現像すると、周期状ホトレジスト21が形成されている(d)。周期状ホトレジスト21をマスクとして半導体基板1をエッチングした後、周期状ホトレジストを除去して回折格子11を形成する(e)。ここで、凸部におけるホトレジスト2表面上の干渉縞の周期の位相と、凹部におけるホトレジスト2表面上の干渉縞の周期の位相とが周期の1/2ずれるように決定されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にホトレジストを塗布する第1のステップと、第1の厚さを有する第1の部分と、前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有し、かつ、前記第1の部分と隣接して一体形成されている第2の部分とからなる光透過性の誘電体膜を、前記ホトレジストの上に設ける第2のステップと、前記半導体基板表面に入射角の異なる2つの同一波長の光を照射して干渉縞を発生させ、前記干渉縞の光の強弱を利用して前記ホトレジストを周期状に露光する第3のステップと、前記誘電体膜を除去する第4のステップと、前記ホトレジストを現像し、周期状ホトレジストを形成する第5のステップと、前記周期状ホトレジストをマスクとして前記半導体基板をエッチングする第6のステップと、前記周期状ホトレジストを除去する第7のステップとを有し、第1の部分における前記ホトレジスト表面上の前記干渉縞の周期の位相と、第2の部分における前記ホトレジスト表面上の前記干渉縞の周期の位相とが所定位相差量ずれるように、前記第1の厚さと第2の厚さとの差である膜厚差が決定されることを特徴とする位相シフト型回折格子の製造方法。
IPC (2件)：
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