特許

J-GLOBAL ID：200903021508845548

電子ビーム露光によるパタン形成方法

発明者： 鈴木 積
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 小岩井 雅行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240902
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068191
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 煩雑なシミュレーション計算を伴う露光図形の寸法補正を必要とせずに近接効果による図形の歪みを防ぐことができる電子ビーム露光によるパタン形成方法を提供する。【解決手段】 まず、レジストが塗布されたマスク上に、電子ビーム露光により設計図形11を露光する。次に、設計図形11とこの設計図形11に0.1μmのアンダサイジング処理を施した補助図形14との間にXOR処理を施した第2露光図形15を露光する。このように、設計図形11露光の端部付近のみを付加露光して内部近接効果補正を行う。

請求項（抜粋）：

電子ビームに感光するレジスト材料上にスポット状の電子ビームを走査することによりLSIパタンを形成する電子ビーム露光によるパタン形成方法であって、レジスト材料上に電子ビームを走査してこのレジスト上に2以上の露光図形を2以上の露光工程において露光することによりLSIパタンを形成することを特徴とする電子ビーム露光によるパタン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (2件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 7/20 504

Fターム (9件)：

2H097AA03 ,  2H097AA11 ,  2H097BB01 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056CA13 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD10