特許

J-GLOBAL ID：200903021512180240

基板の低エネルギー電子促進エッチング方法および装置

発明者： マーティン、 ケヴィン ピー. ,  ギリス、 ハリー ピー. ,  ショートフ、 ドミトリ エイ.
出願人/特許権者： ジョージア テック リサーチ コーポレイション
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-585918
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504835
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：

【要約】基板をDCプラズマ反応装置の陽極上に載置するステップと、低エネルギー電子と、基板と反応する種とを含むプラズマにこの基板を曝すステップを含んだ基板の低損傷異方性エッチング方法である。又、低損傷異方性エッチングを実行する装置が、DCプラズマ反応装置と、透過性壁の中空冷陰極と陽極と基板を陽極に取り付ける手段とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

直流プラズマ反応装置の陽極上に基板を載置するステップと、 約100eV未満の運動エネルギーを有する低エネルギー電子と前記基板に反応する少なくとも一つの種を含むプラズマに前記基板を曝すステップと、 冷陰極で電子を発生させるステップ とを含むことを特徴とする基板の低損傷異方性ドライエッチングする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (26件)：

4K057DA02 ,  4K057DA12 ,  4K057DB01 ,  4K057DB05 ,  4K057DB08 ,  4K057DC10 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE20 ,  4K057DG13 ,  4K057DG15 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM35 ,  4K057DN01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB21