特許

J-GLOBAL ID：200903021517002251

システムLSIの製造方法及びその方法で製造されたシステムLSI

発明者： 安浦 寛人 ,  井上 昭彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体理工学研究センター
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158385
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349159
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 ハードウェア及びソフトウェアの再利用を行った場合も、消費電力などのランニングコストを増大させないシステムLSIの製造方法の実現。【解決手段】 少なくともプロセッサ11とメモリ12,13 を1つのチップ内に有するシステムLSIの製造方法であって、あらかじめ設定された共通プロセスが終了した段階のシステムLSI1を準備する工程S7と、システムLSIに搭載する応用プログラムS12 を動作させた時に使用するプロセッサのデータ語長及びメモリのデータ語長とワード数から、応用プログラムを動作させた時の使用領域を決定する工程S13,S14 と、使用領域以外の非使用領域への電源供給が行われないようにシステムLSIを製造して完成させる工程S8とを備える。

請求項（抜粋）：

少なくともプロセッサとメモリを1つのチップ内に有するシステムLSIの製造方法であって、あらかじめ設定された共通プロセスが終了した段階の前記システムLSIを準備する工程と、前記システムLSIに搭載する応用プログラムを動作させた時に使用する前記プロセッサのデータ語長及び前記メモリのデータ語長とワード数から、前記応用プログラムを動作させた時の使用領域を決定する工程と、前記使用領域以外の非使用領域への電源供給が行われないように前記システムLSIを製造して完成させる工程とを備えることを特徴とするシステムLSIの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 W ,  H01L 27/04 U

Fターム (33件)：

5F038AV15 ,  5F038CA03 ,  5F038CA18 ,  5F038CA20 ,  5F038CD02 ,  5F038CD07 ,  5F038CD10 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA20 ,  5F064BB09 ,  5F064BB14 ,  5F064BB19 ,  5F064BB23 ,  5F064BB37 ,  5F064BB40 ,  5F064CC12 ,  5F064DD26 ,  5F064EE15 ,  5F064EE52 ,  5F064EE60 ,  5F064FF07 ,  5F064FF08 ,  5F064FF27 ,  5F064FF42 ,  5F064HH05 ,  5F064HH08 ,  5F064HH09 ,  5F064HH20