半導体装置の作製法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福田賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274073
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086792
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】炭化珪素領域を含む半導体基板を用いた高チャネル移動度を有するMISおよびMOS型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置の作製法に関して、炭化珪素領域を含む半導体基板上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはシリコン酸化窒化膜などのゲート絶縁膜を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造において、炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成した後、900°Cから1000°Cのいずれかの予め決められた温度で、H2O(水)を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素領域を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成した後、900°Cから1000°Cのいずれかの予め決められた温度で、H2O(水)を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/316 P , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 G

Fターム (42件)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BH02 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BK06 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CC03 , 5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (3件)

炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-518224 出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-310865 出願人：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-256973 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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