特許
J-GLOBAL ID：200903021525750216

X線露光用マスク及びその作成方法

発明者：
射場 義久

射場 義久 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158867
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354407
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】本発明は、マスク歪みを抑制するために成膜の応力が調整されたX線露光用マスクの作成方法に関し、パターン間隔の広狭にかかわらず、未エッチング部や過剰エッチング部を生じないようにし、かつメンブレン膜の応力の発生を抑え、マスクパターンの精度の向上を図る。【解決手段】支持基板11上のメンブレン膜12の上に、Ru又はRu化合物からなるエッチングストッパ膜13を形成する工程と、エッチングストッパ膜13上にX線吸収体膜14を形成する工程と、露光光或いは位置合わせ光の照射領域となる領域の支持基板11をエッチングし、除去する工程と、X線吸収体膜14のエッチングレートと比べてエッチングストッパ膜13のエッチングレートが小さいエッチャントを用いてX線吸収体膜14をエッチングし、除去してマスクパターンを形成する工程と、X線吸収体膜14から露出するエッチングストッパ膜13をエッチングし、除去する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
支持基板によって支持され、前記支持基板の露光光或いは位置合わせ光の照射領域を覆うメンブレン膜と、前記メンブレン膜上に形成されたルテニウム(Ru)又はルテニウム(Ru)化合物からなるエッチングストッパ膜と、前記エッチングストッパ膜上に形成された、前記露光光或いは位置合わせ光の照射領域にマスクパターンが形成されたX線吸収体膜とを有することを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件)：
H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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