特許

J-GLOBAL ID：200903021527618161

半導体装置およびその製造方法

発明者： 野上 毅 ,  福田 誠一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217312
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 中空配線における内部応力による配線の変形を抑制することで、隣接する配線間で生じていたショート不良の問題を解決し、微細配線にも適用可能で、かつ、低インピーダンス、低インダクタンスな中空配線構造を提供する。【解決手段】 基板11上に形成された壁状の第1の絶縁膜12と前記第1の絶縁膜12に支持された配線13と、前記第1の絶縁膜12を前記基板11との間に挟み、かつ前記基板11との間に空間17を設けて形成された第2の絶縁膜15とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された壁状の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に支持された配線と、前記第1の絶縁膜を前記基板との間に挟み、かつ前記基板との間に空間を設けて形成された第2の絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 J

Fターム (34件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH19 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK13 ,  5F033KK19 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR30 ,  5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-325051   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230430   出願人：松下電子工業株式会社