発光ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319338
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160433
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】クラッド層の電極形成面の混晶比を小さくすることによって電極形成を良好にする。【構成】除去されるGaAs基板7上にp型GaAlAsクラッド層1、活性層2、n型GaAlAs層3を形成する。クラッド層1は禁制帯幅を発光波長のエネルギより大きくし、AlAs混晶比は基板側から活性層側に向って高くなるプロファイルをもつ。このプロファイル制御は温度差法で行う。基板側の混晶比xは0.05、活性層2の界面では0.35とする。n型GaAlAs層3のAlAs混晶比は、活性層側から表面側に向って徐々に低くなる通常プロファイルをもつ。表面混晶比xは0.05で活性層界面の混晶比を0.35にしている。クラッド層1の裏面に部分電極8を、n型GaAlAs3の表面に全面電極9を形成し、そのうち光取出し側部分電極8はボンディングして結線する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともクラッド層を1層もち、基板側のクラッド層を厚く形成し、このクラッド層の上にヘテロ構造を有する活性層を形成した後、基板を除去して前記基板側のクラッド層に電極を取り付け、この電極を取り付けたクラッド層から光を取り出すようにしたGaAlAs系またはInGaP系の発光ダイオードにおいて、前記クラッド層のうち少なくとも基板側のクラッド層が、次の禁制帯幅の条件を同時に満足することを特徴とする発光ダイオード。?@活性層側が大きく、基板側が小さい。?A発光波長に相当する光のエネルギより大きい。

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