特許
J-GLOBAL ID：200903021536129807
統一性の高いインタコネクトと二重層接点とを備えた薄膜光起電力モジュールの製造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田下 明人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307192
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177137
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 特別な製法によって改善されたインタコネクトを備えた高性能光起電力モジュールを作製する。【解決手段】 この光起電力モジュールは二重層のバック接点34と少なくとも1層のフロント接点20とを持ち、二重層バック接点は酸化亜鉛の内側層24およびアルミニウムの外側層38から成り、フロント接点は酸化スズの内側層36および二酸化シリコンの誘電体外側相22から成る。フロント接点とバック接点の間に、1つ以上のアモルファスシリコン含有薄膜半導体26を堆積する。フロント接点の透明な導電性酸化物層をレーザによってスクライビングし、次にアモルファスシリコン含有半導体および二重層バック接点の内側層をレーザによって同時にスクライビングして溝を形成し、その後に溝を二重層バック接点の外側層と同じ金属で埋めて、フロント接点と二重層バック接点の外側層との間に優れた機械的および電気的相互接続を設ける。
請求項（抜粋）：
単接合太陽電池、多重接合(複数接合)太陽電池、タンデム(二重)接合太陽電池、または三重接合太陽電池から成るモノリシック光起電力モジュールを製造するための方法において、前記方法が、基板上にフロント接点を配置する段階であって、前記フロント接点が誘電体層、または酸化スズ、インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、またはスズ酸カドミウムの透明な金属酸化物層で構成され、前記基板がガラス、ステンレス鋼またはその他の金属で構成されて成る前記配置段階と、前記フロント接点上に少なくとも1つのアモルファスシリコン包含薄膜半導体を堆積する段階であって、前記アモルファスシリコン包含薄膜半導体の一部が水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファスシリコン炭素、または水素化アモルファスシリコンゲルマニウムで構成されて成る前記堆積段階と、前記アモルファスシリコン包含薄膜半導体上に二重層バック接点を配置する段階であって、前記二重層バック接点が内側層および外側層を含む幅の広いバンドギャップを持つ半導体で構成され、前記二重層バック接点の前記内側層が酸化スズ、インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、またはスズ酸カドミウムの透明な導電性酸化物で構成され、前記二重層バック接点の前記外側層がアルミニウム、銀、モリブデン、プラチナ、鋼、鉄、ニオブ、チタン、クロム、ビスマス、またはアンチモン、またはこれらの酸化物で構成されて成る前記配置段階と、から成ることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 31/04
, C23C 16/30
, C23C 16/42
, C23C 16/56
, H01L 21/205
C23C 16/30
, C23C 16/42
, C23C 16/56
, H01L 21/205
, H01L 31/04 M
, H01L 31/04 W
