半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077247
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283306
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】微細な配線層パターンに対して充分なスルーホールサイズを確保できる多層配線構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】半導体基板101上の絶縁膜1,1aに第1の金属配線層103を形成した後、絶縁膜2,2a,3,3aを順次積層する。その後絶縁膜3,3aに絶縁膜2aをエッチングストッパーとして第2の金属配線層用溝7を形成し、第2の金属配線層用溝7パターンをマスクとし絶縁膜1aをエッチングストッパーとしてスルーホール106を形成する。その後第2の金属配線層用溝7とスルーホール106に第2の配線層を形成する。【効果】充分な大きさを持つスルーホールを容易に安定して形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜、上記第1の絶縁膜内に形成された第1の配線層、上記第1の絶縁膜および第1の配線層上に形成された層間絶縁膜、上記層間絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜、および上記第2の絶縁膜内に形成された第2の配線層を備え、上記層間絶縁膜内に形成したスルーホールを介して上記第1の配線層と第2の配線層とを接続する半導体装置において、上記第1の絶縁膜は上記層間絶縁膜のエッチングに対してエッチングレートの低い材料とし、上記層間絶縁膜は上記第2の絶縁膜のエッチングに対してエッチングレートの低い材料とし、上記第2の絶縁膜は上記層間絶縁膜のエッチングに対してエッチングレートの低い材料としたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-108359
特開昭63-027038
特開平3-205829

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