静電容量型圧力センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松井伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293171
公開番号（公開出願番号）：特開平11-118643
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】応答性の良好な静電容量型圧力センサを提供すること【解決手段】薄肉のダイアフラム3が形成されたシリコン基板1に、ガラス基板2を陽極接合により一体化しており、両基板間にギャップ4が形成される。シリコン基板は、ガラス基板との接合面に導圧通路5が形成されている。係る導圧通路を介して、センサ外部からギャップ内に参照圧力を導入している。この導圧通路の底面に複数の案内溝10が形成されている。溝はセンサ外部からギャップの方向に向けて形成されている。ダイアフラムにかかる測定圧力が参照圧力よりも低い場合、ダイアフラムはガラス基板から離れる方向に撓む。このとき、センサ外部から入り込んだ空気は、溝によって導圧通路を直線方向(溝の形成方向)にガイドされ、ギャップ内に素早く移動する。よって、ダイアフラムは素早く撓むことができ、センサの応答性を良好にすることができる。

請求項（抜粋）：

ダイアフラムを有する半導体基板と、前記ダイアフラムに対向する位置に固定電極を有する固定基板とを接合して一体化してなる静電容量型圧力センサにおいて、前記ダイアフラムに形成される可動電極と前記固定電極間のギャップへ圧力を導入するための導圧通路が、前記半導体基板と前記固定基板の接合面に形成され、かつ、前記導圧通路の内面に、前記導圧通路の方向に沿った案内溝が形成されていることを特徴とした静電容量型圧力センサ。

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