特許

J-GLOBAL ID：200903021548304280

Cu配線の形成方法およびCu配線構造体

発明者： 深田 晋一 ,  小林 伸好 ,  長沢 幸一 ,  赤星 晴夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196200
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040566
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】信頼性の高いCu配線を容易に形成することができるCu配線の形成方法および配線構造体を提供する。【解決手段】所定の形状を有するベースメタル層12とダミー配線層13、14からなる初期配線層を形成した後、第1の絶縁膜16および第2の絶縁膜17を全面に形成し、上面を平坦化した後、上記ダミー配線層13、14除去して開口部を形成し、この開口部をCuによって充填して、Cu配線を形成する。【効果】工程が簡略化され、高い信頼性を有するCu多層配線を、容易に低いコストで形成できる。

請求項（抜粋）：

下記工程を含むCu配線の形成方法。(1)導電体からなるベースメタル層を基板の表面上に形成した後、当該ベースメタル層とは異なる材料からなるダミー配線層を上記ベースメタル層の上に積層して形成する工程、(2)同一のエッチングマスクを用いて上記ダミー配線層およびベースメタル層の所定部分を順次エッチングして除去し、初期配線層を形成する工程、(3)上記初期配線層より厚い絶縁膜を全面に形成する工程、(4)上記絶縁膜を上方から薄くして上面を平坦化し、上記初期配線層の上面を露出させる工程、(5)上記ダミー配線層を除去して上記ベースメタル層の表面を露出させる工程、(6)上記ベースメタル層の表面上にCuを選択的に析出させる工程。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 B