半導体集積回路の出力回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109423
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326589
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】高速な動作を実現する。【構成】端子1をFET20,21のゲートに接続する。FET20のソースを電源端子5に接続し、FET21のソースをインバータ2の出力端子に接続し、FET20,21のドレインをコンデンサ22を介して電源端子5に接続する。端子7をFET23,24のゲートに接続する。FET23のソースをインバータ8の出力端子に接続し、FET24のソースを接地し、FET23,24のドレインをコンデンサ25を介して接地する。信号Sina,Sinbの双方が「H」から「L」に変化する場合、インバータ8の出力Sinb′はコンデンサ25を充電しながら「L」から「H」に変化する。信号Sina,Sinbの双方が「L」から「H」に変化する場合、インバータ2の出力Sina′はコンデンサ22を放電しながら「H」から「L」に変化する。

請求項（抜粋）：

第1のインバータの入力端子を第1の入力端子とし、第2のインバータの入力端子を第2の入力端子とし、上記第1のインバータの出力端子を第1導電型の第1のトランジスタのゲートに接続し、上記第2のインバータの出力端子を第2導電型の第2のトランジスタの制御電極に接続し、上記第1のトランジスタの第1主電極を電源に接続し、上記第2のトランジスタの第1主電極を接地し、上記第1のトランジスタの第2主電極および上記第2のトランジスタの第2主電極を接続して出力端子とし、第1導電型の第3のトランジスタの第2主電極と第2導電型の第4のトランジスタの第2主電極を接続し、その接続点を第1のコンデンサを介して電源に接続し、上記第3のトランジスタの制御電極および上記第4のトランジスタの制御電極を上記第1の入力端子に接続し、上記第3のトランジスタの第1主電極を電源に接続し、上記第4のトランジスタの第1主電極を上記第1のインバータの出力端子に接続し、第1導電型の第5のトランジスタの第2主電極と第2導電型の第6のトランジスタの第2主電極を接続し、その接続点を第2のコンデンサを介して接地し、上記第5のトランジスタの制御電極および上記第6のトランジスタの制御電極を上記第2の入力端子に接続し、上記第5のトランジスタの第1主電極を上記第2のインバータの出力端子に接続し、上記第6のトランジスタの第1主電極を接地したことを特徴とする半導体集積回路の出力回路。

IPC (2件)：

H03K 19/0175 , H03K 17/687

FI (2件)：

H03K 19/00 101 F , H03K 17/687 F

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