特許

J-GLOBAL ID：200903021557641443

シリコン単結晶の製造装置

発明者： 金田 洋 ,  西崎 克己 ,  村上 雅宏 ,  関 康之
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095312
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294783
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】【目的】シリコン単結晶5内の製造において、単結晶5内の温度勾配を緩和し、安定した低速引き上げを可能とする。また、るつぼ壁の温度を下げて、単結晶5内の酸素濃度を低減化する。【構成】シリコン単結晶5からチャンバ壁13への放熱を妨げる傘状の熱遮蔽体を取付け、シリコン単結晶引上軸に取付け、熱反射板17、熱遮蔽板16及び支持材15からなる円筒状の熱遮蔽壁をるつぼ7の上縁に立設する。

請求項（抜粋）：

傘状の熱遮蔽体をシリコン単結晶の引き上げ軸に介装すると共に、熱反射板、熱遮蔽板及び支持材からなり、引き上げ結晶を囲繞する円筒状の熱遮蔽壁をるつぼ上縁に立設したことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208