特許

J-GLOBAL ID：200903021563386358

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 鈴木 光明 ,  鎌上 信一 ,  中園 卓志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268414
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163367
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】製造工程の増加及び閾値電圧のばらつきを生ずることなく製造することが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ1は、絶縁性基板2上に、SiN膜3、SiO膜4、ボロンを含有するチャネル領域8とこれを挟んで対向するソース・ドレイン領域9,10とを有するポリSi薄膜、絶縁膜11、及びゲート電極12が順次積層された構造を有し、SiO膜4のチャネル領域8とSiN膜3との間に位置する領域は、チャネル領域8側からSiN膜3側へ向けて減少するボロンの濃度勾配を有し、且つチャネル領域8と接しボロン濃度が1×1016atoms/cm3 以上である第1の領域と、第1の領域と窒化シリコン膜3との間のボロン濃度が1×1016atoms /cm3 未満である第2の領域とからなり、第1の領域は200オングストローム以下の厚さを有する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板、前記絶縁性基板上に設けられた窒化シリコン膜、前記窒化シリコン膜上に設けられた酸化シリコン膜、前記酸化シリコン膜上に形成され、不純物としてボロンを5×1016〜1.5×1018atoms /cm3 の濃度で含有するチャネル領域と、前記チャネル領域を挟んで対向するソース領域及びドレイン領域とを有する多結晶シリコン薄膜、前記多結晶シリコン薄膜上に設けられた絶縁膜、及び前記絶縁膜上に設けられたゲート電極を具備し、前記酸化シリコン膜の、前記チャネル領域と前記窒化シリコン膜との間に位置する領域において、ボロン濃度は前記チャネル領域側から前記窒化シリコン膜側へ向けて減少し、前記酸化シリコン膜の、前記チャネル領域と前記窒化シリコン膜との間に位置する領域は、前記チャネル領域と接し、ボロン濃度が1×1016atoms /cm3 以上である第1の領域と、前記第1の領域と前記窒化シリコン膜との間に配置され、ボロン濃度が1×1016atoms /cm3 未満である第2の領域とからなり、前記第1の領域は200オングストローム以下の厚さを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 626 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z