特許
J-GLOBAL ID：200903021574057453
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
澤井 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144731
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】アクセプター濃度の低減なしに、順方向電流を流すことにより引き起こされるアクセプター不純物の異常な拡散を抑制する。【構成】pn接合を素子の一部とする半導体装置において、p層3、n層2あるいはpn接合の空乏層の少なくとも一層に、当該半導体の格子定数より大きな格子定数を持つ歪層4を少なくとも一層内抱させる。
請求項（抜粋）：
pn接合を素子の一部とする半導体装置において、p層、n層あるいはpn接合の空乏層の少なくとも一層に、当該半導体の格子定数より大きな格子定数を持つ歪層を少なくとも一層内抱することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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