特許

J-GLOBAL ID：200903021575092295

フォトダイオードアレイ及びその製造方法

発明者： 坂本 敏朗 ,  山口 幸一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-027101
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226684
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 撮像装置に用いられる傷画素のないフォトダイオードアレイを得る。【構成】 一方の電極が一部に接続された領域の表面にはCVD SiO2 膜を介してマグネトロンスパッタAl2 O3 膜が、p-n接合をパッシベートする領域の表面には陽極酸化膜を介してマグネトロンスパッタAl2 O3 膜が夫々被着されている特徴を有するフォトダイオードアレイとその製造方法。

請求項（抜粋）：

一方の電極が一部に接続された領域の前記電極近傍の表面にはCVD SiO2 膜を介してマグネトロンスパッタAl2 O3 膜が、p-n接合をパッシベートする領域の表面には陽極酸化膜を介してマグネトロンスパッタAl2 O3 膜が夫々被着されてなるインジウム・アンチモンフォトダイオードアレイ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K