特許
J-GLOBAL ID:200903021577387764
印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
堀田 実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-153549
公開番号(公開出願番号):特開2003-270310
出願日: 2002年05月28日
公開日(公表日): 2003年09月25日
要約:
【要約】【課題】 弱磁界を精密に検出し、正確な位置精度を維持し、小型化、優秀な磁界効率及び低消費電力を同時に達成することのできる弱磁界感知用センサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 所定の形状にパターン化された磁性体と、前記磁性体の下部及び上部にそれぞれ対向して積層され、前記磁性体を取り囲む形態となるように互いに導通するドライビングパターンが形成された第1積層体及び第2積層体と、前記第1積層体の下側面及び第2積層体の上側面に積層され、前記磁性体及びドライビングパターンを取り囲むように互いに導通するピックアップパターンが形成された1対の第3積層体とからなる。
請求項(抜粋):
所定の形状にパターン化された磁性体と、該磁性体の下部及び上部にそれぞれ対向して積層され、磁性体を取り囲む形態となるように互いに導通するドライビングパターンが形成された第1積層体及び第2積層体と、該第1積層体の下側面及び該第2積層体の上側面に積層され、前記磁性体及びドライビングパターンを取り囲むように互いに導通するピックアップパターンが形成された1対の第3積層体と、を含む、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
IPC (3件):
G01R 33/04
, G01R 33/05
, H01F 17/04
FI (4件):
G01R 33/04
, G01R 33/05
, H01F 17/04 A
, H01F 17/04 F
Fターム (12件):
2G017AA01
, 2G017AD42
, 2G017AD43
, 2G017AD45
, 2G017AD46
, 2G017AD47
, 5E070AA05
, 5E070AA20
, 5E070AB01
, 5E070BA11
, 5E070CB03
, 5E070CB13
引用特許:
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