LEDチップ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124555
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319704
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】発光面内の輝度むらを減少させて輝度の均一性を向上させたLEDチップを提供する。【解決手段】基板上にp形半導体層およびn形半導体層を形成し、p形半導体層およびn形半導体層において基板の反対側であるLEDチップ1の主チップ面にそれぞれp側電極6およびn側電極7を設ける。主チップ面内においてp側電極6およびn側電極7はそれぞれ並行する直線部6a,7aを有し、直線部6a,7aを横切る方向ではp側電極6とn側電極7とが交互に配列される。このような配置により、p側電極6とn側電極7との対向部位が多くなるから、電流密度の分布の偏りが小さくなり、輝度むらの少ないLEDチップ1が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたp形半導体層およびn形半導体層と、p形半導体層およびn形半導体層において基板の反対側である主チップ面にそれぞれ接続されたp側電極およびn側電極とを備え、前記主チップ面内においてp側電極およびn側電極の少なくとも一部がそれぞれ互いに並行配置され、p側電極およびn側電極において並行配置された部位を横切る方向ではp側電極とn側電極とが交互に配列されていることを特徴とするLEDチップ。

Fターム (6件)：

5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA93 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (18件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-135220 出願人：旭化成工業株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-045983 出願人：日亜化学工業株式会社

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