プラズマCVD製膜方法及びプラズマCVD製膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049440
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】高速の製膜速度を実現できる高スループットのプラズマCVD製膜方法及びプラズマCVD製膜装置を提供する。【解決手段】大気圧または大気圧より少し低い減圧状態の雰囲気下で基板と電極との間に反応性ガスのプラズマを生成させて基板上に製膜するプラズマCVD製膜方法において、基板移送ラインを通過する予定の基板の製膜予定面が複数の回転ドラム電極の周面と近接対面するように、回転ドラム電極を基板移送ラインに対してそれぞれ位置決めする工程と、各回転ドラム電極を回転させる工程と、回転中の各回転ドラム電極の周面と基板の製膜予定面が近接対面するように、基板移送ラインに沿って基板を移送する工程と、回転中の各回転ドラム電極と移送中の基板との間に反応性ガスを供給するとともに、各回転ドラム電極に高周波を印可して回転中の各回転ドラム電極と移送中の基板との間にプラズマを生成させ、移送中の基板に連続的に製膜する工程と、を具備する。

請求項（抜粋）：

大気圧または大気圧より少し低い減圧状態の雰囲気下で基板と電極との間に反応性ガスのプラズマを生成させて基板上に製膜するプラズマCVD製膜方法において、基板移送ラインを通過する予定の基板の製膜予定面が回転ドラム電極の周面と近接対面するように、複数の回転ドラム電極を基板移送ラインに対してそれぞれ位置決めする工程と、各回転ドラム電極を回転させる工程と、回転中の複数の回転ドラム電極の周面と基板の製膜予定面が近接対面するように、基板移送ラインに沿って基板を移送する工程と、回転中の複数の回転ドラム電極と移送中の基板との間に反応性ガスを供給するとともに、回転ドラム電極に高周波を印可して回転中の回転ドラム電極と移送中の基板との間にプラズマを生成させ、移送中の基板に連続的に製膜する工程と、を具備することを特徴とするプラズマCVD製膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/505 , H01L 31/04

FI (2件)：

C23C 16/505 , H01L 31/04 V

Fターム (30件)：

4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA08 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA30 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030EA12 , 4K030FA03 , 4K030GA14 , 4K030HA01 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030JA20 , 4K030KA16 , 4K030KA23 , 4K030KA28 , 4K030LA16 , 5F051AA05 , 5F051BA14 , 5F051CA16 , 5F051CA22 , 5F051CA23 , 5F051CA24 , 5F051DA04

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