特許

J-GLOBAL ID：200903021582904033

光電変換装置およびその製造方法

発明者： 大倉 央 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074348
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280084
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 電子やホールの授受及び移動をスムーズに行わせる。【解決手段】 電子受容型の電荷輸送層11と、電子供与型の電荷輸送層12と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層16とを少なくとも有する光電変換装置であって、電子受容型の電荷輸送層が針状結晶17を形成し、さらに針状結晶上に粒状酸化錫18が形成されている。

請求項（抜粋）：

電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型の電荷輸送層が、表面上に粒状酸化錫が形成された針状結晶からなる光電変換装置。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 X

Fターム (13件)：

5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA08 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032CC11 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02