ポリイミド多層配線基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305943
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144974
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】ポリイミド多層配線の張り合わせにおいて、セラミック基板上に形成したポリイミド多層配線層に、アルミニウムウェファ上に多層配線層を形成した基板を接着剤で接着した後、支持基板のアルミニウムウェファを容易に剥離することを目的とする。【構成】張り合わせた後、ダイシングソー25でパターンエリアの広さにアルミニウム平板1をカットし、低熱膨張率ポリイミドとその上の層の密着がないところから、支持基板のアルミニウム平板を剥離する。

請求項（抜粋）：

第1の基板の外周部の表面をポリイミドとの接着性を良好にし内部表面をポリイミドとの接着性をほぼ0にした上でこの基板上に1以上の配線層と層間絶縁材であるポリイミド層とから成る第1の積層構造を形成する第1の工程と、第2の基板上に1以上の配線層と層間絶縁材であるポリイミド層とから成る第2の積層構造を形成する第2の工程と、第1の積層構造の表面に形成され第1の積層構造内の配線と電気的に接続された金属バンプと、第2の積層構造の表面に形成され第2の積層構造内の配線と電気的に接続された金属バンプとを目合せすると同時に、第1の積層構造の表面に形成された接着層と第2の積層構造の表面に形成された接着層とを加圧・加熱条件下において接着することにより上記金属バンプ相互の接続を行う第3の工程と、第1の積層構造の外周部を切り離すことによって第1の基板を除去する第4の工程と、第4の工程によって露出したポリイミド層にヴィアホールをあける第5の工程とを含むことを特徴とするポリイミド多層配線基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 23/12 , H01L 21/312 , H01L 23/15 , H01L 23/14 , H05K 3/46

FI (3件)：

H01L 23/12 N , H01L 23/14 C , H01L 23/14 R

前のページに戻る