特許

J-GLOBAL ID：200903021586724889

薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： 林 久雄 ,  岩永 利彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252172
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの素子領域となる多結晶シリコン膜の水素化処理を均一化するとともに薄膜トランジスタの高性能化を図る。【構成】 薄膜半導体装置は、絶縁基板1の表面に形成された多結晶シリコン膜3を素子領域とする薄膜トランジスタ5を有する。絶縁基板1の裏面9に、多結晶シリコン膜3からなる素子領域に対する水素拡散源となる水素含有膜10を形成する。水素含有膜10は例えばプラズマ窒化シリコン膜からなる。このプラズマ窒化シリコン膜は200nm以上の膜厚を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面に形成された多結晶シリコン膜を素子領域とする薄膜トランジスタを有する薄膜半導体装置において、該絶縁基板の裏面に、該素子領域に対する水素拡散源となる水素含有膜を形成した事を特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 X