特許

J-GLOBAL ID：200903021594924102

磁性記録媒体及びその製造方法

発明者： 白鳥 力
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416557
公開番号（公開出願番号）：特開2005-174518
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 高トラック密度化の可能な、再生特性に優れた磁性記録媒体を提供する。【解決手段】 メモリ層10と、メモリ層10に比べて磁壁抗磁力が小さい磁壁移動層30との間に、これらの層に比べてキュリー温度が低いスイッチング層20が介在する積層構造を有し、記録面が一定のトラックピッチの複数のトラックに分割される磁性記録媒体であって、磁壁移動層10は、各トラックの中心部に、トラックの幅方向が制限された記録トラック領域を有し、該記録トラック領域においてのみ、垂直磁化配向されたメモリ層10の磁化状態が転写され、上記記録トラック領域を除くバッファー領域は、所定の温度未満で、上記磁化状態の転写とは関係なく面内方向に磁化配向され、所定の温度以上で垂直磁化配向可能な状態に遷移する。磁壁移動層10のバッファー領域の直下に面内磁化膜40を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

メモリ層と、該メモリ層に比べて磁壁抗磁力が小さい磁壁移動層との間に、これらメモリ層および磁壁移動層に比べてキュリー温度が低いスイッチング層が介在する積層構造を有し、記録面が一定のトラックピッチの複数のトラックに分割される磁性記録媒体であって、 前記磁壁移動層は、各トラックの中心部に、トラックの幅方向が制限された記録トラック領域を有し、該記録トラック領域においてのみ、垂直磁化配向された前記メモリ層の磁化状態が転写され、前記記録トラック領域を除くバッファー領域は、所定の温度未満で、前記磁化状態の転写とは関係なく磁化配向され、前記所定の温度以上で垂直磁化配向可能な状態に遷移する磁性記録媒体。

IPC (1件)：

G11B11/105

FI (9件)：

G11B11/105 516K ,  G11B11/105 511B ,  G11B11/105 511F ,  G11B11/105 511H ,  G11B11/105 511P ,  G11B11/105 511Q ,  G11B11/105 521F ,  G11B11/105 546B ,  G11B11/105 546C

Fターム (5件)：

5D075EE03 ,  5D075FF04 ,  5D075FF12 ,  5D075GG03 ,  5D075GG16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光磁気記録媒体、再生方法および再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077141   出願人：キヤノン株式会社