特許

J-GLOBAL ID：200903021596901630

基板プロセス装置及びその基板プロセス装置を利用した基板のプロセス方法

発明者： 中谷 康雄 ,  高田 誠治 ,  緒方 健一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001243
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196447
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板のプロセス中ステージ上に保持された基板の熱応力の影響を受けることなく基板内部の結晶欠陥の発生を防止する。【解決手段】 ステージ2に設けた複数の吸着孔につながる排気管3a,3bには開度調整弁4と排気ポンプ5とを備え、開度調整弁を制御し、ステージに設けられた複数の静電電極には静電電極制御装置と電源とを備え、静電電極制御装置を制御することにより、熱応力を緩和する。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に設けられ基板を加熱処理する基板プロセス装置であって、前記基板を支持するステージと、前記ステージに設けられ前記ステージに搭載された前記基板を保持する複数の吸着孔と、前記複数の吸着孔につながる排気管と、前記排気管に設けられた開度調整弁と、前記開度調整弁の後段に設けられた排気ポンプとを備え、前記開度調整弁の開度を制御することにより、前記複数の吸着孔を介して前記基板の保持を行うことを特徴とする基板プロセス装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15

FI (3件)：

H01L 21/68 P ,  H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D

Fターム (7件)：

3C016GA10 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA13 ,  5F031HA16 ,  5F031HA19 ,  5F031MA23