特許
J-GLOBAL ID:200903021603193418

塗布膜形成方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中本 菊彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-262391
公開番号(公開出願番号):特開平10-043666
出願日: 1996年09月11日
公開日(公表日): 1998年02月17日
要約:
【要約】【課題】 装置の小型化を可能にし、かつ高精度な膜厚の均一化を可能にすること。【解決手段】 膜厚センサ22により半導体ウエハW表面に形成されたレジスト膜の膜厚を検出し、その検出信号をCPU23に送り、CPU23において予め記憶された情報と比較演算処理された検出情報をレジスト液温度調整器19、半導体ウエハWを回転するスピンチャック12のモータ16及びウエハ温度調整器15に送ることにより、その検出情報に基づいてレジスト液の温度、半導体ウエハWの回転数及び半導体ウエハWの温度を制御する。
請求項(抜粋):
被処理体の表面に塗布液を供給すると共に、被処理体を回転させて、被処理体表面に塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、上記被処理体表面に形成された塗布膜の膜厚を検出し、その検出情報に基づいて上記塗布液の温度、上記被処理体の回転数及び上記被処理体の温度を制御する、ことを特徴とする塗布膜形成方法。
IPC (4件):
B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/027
FI (5件):
B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 D ,  H01L 21/30 564 C
引用特許:
出願人引用 (8件)
  • レジスト塗布装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-237760   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開平2-237678
  • 特開平4-164314
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審査官引用 (17件)
  • 特開平3-211719
  • レジスト塗布装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-237760   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開昭63-227020
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