特許
J-GLOBAL ID：200903021603219301

広域スペクトルAl(1-x-y)InyGaxN発光ダイオードおよび固体白色発光デバイス

発明者：
チェンチュアン チェン

チェンチュアン チェン について

, 
ミンチャン チェン

ミンチャン チェン について


出願人/特許権者：
ジェネシス フォトニクス インコーポレイテッド

ジェネシス フォトニクス インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-247611
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079583
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】基板、バッファー層、N型クラッド層、少なくとも1つの量子ドット放出層およびP型クラッド層を備える広域スペクトルAl(1-x-y)InyGaxN LEDを提供すること。【解決手段】基板;該基板の上に配置されたバッファー層;該バッファー層の上に配置されたN型クラッド層;該N型クラッド層の上に配置された少なくとも1つの量子ドット放出層であって、該量子ドット放出層が量子ドット放出層の発光波長のFWHMを増加するように一様でない特性の分布で複数の量子ドットを含有する、量子ドット放出層;および該量子ドット放出層の上に配置されたP型クラッド層を備える、広域スペクトルAl(1-x-y)InyGaxN LED。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板; 該基板の上に配置されたバッファー層; 該バッファー層の上に配置されたN型クラッド層; 該N型クラッド層の上に配置された少なくとも1つの量子ドット放出層であって、該量子ドット放出層が量子ドット放出層の発光波長のFWHMを増加するように一様でない特性の分布で複数の量子ドットを含有する、量子ドット放出層;および 該量子ドット放出層の上に配置されたP型クラッド層 を備える、広域スペクトルAl(1-x-y)InyGaxN LED。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (14件)：
5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA26 ,  5F041DA42 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DB01 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 米国特許第6,069,440号明細書
  • 米国特許第6,592,780号明細書
  • 米国特許第6,580,097号明細書
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