特許
J-GLOBAL ID：200903021604871703
メモリー素子、その製造方法およびその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041399
公開番号（公開出願番号）：特開平6-251360
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【構成】 基板1上に、磁性層を含む光磁気記録膜2と、光磁気記録膜2を被う保護膜3とを備えており、上記保護膜3は、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体のいずれかである光磁気ディスク等のメモリー素子および、そのメモリー素子の製造方法、製造装置。【効果】 保護膜3の摩擦係数が小さくなり、耐摩耗性が向上する。これにより、潤滑膜等を形成しない単純な構成で、信頼性の高いメモリー素子を実現することができる。
請求項（抜粋）：
基体上に、磁性層を含む記録膜と、記録膜を被う保護膜とを備えたメモリー素子において、上記保護膜は、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体のいずれかであることを特徴とするメモリー素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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