特許

J-GLOBAL ID：200903021606390508

半導体試験装置のデバイス用電源制御方法及びデバイス用電源装置

発明者： 井上 文仁 ,  久津野 孝夫 ,  山羽 常雄 ,  池田 宏史
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高橋 浩三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373446
公開番号（公開出願番号）：特開2003-185716
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：

【要約】【課題】 過電圧又は過電流によって被測定デバイスが破壊されるのを防止する。【解決手段】 制御回路14は、被測定デバイス1に流れる電流Id が電流制限値I1 を超えた時にタイマー15をスタートさせ、被測定デバイス1に流れる電流Id がタイマー15の設定時間以上の間電流制限値I1 より大きい場合、リレー16、ダイオードD1 及び負帰還抵抗Rfb を介してメインアンプ11へ負帰還をかける。制御回路17は、被測定デバイス1に流れる電流Id が電流制限値I2 (I2 >I1 )より大きい場合、ダイオードD2 及び負帰還抵抗Rfb を介してメインアンプ11へ負帰還をかける。

請求項（抜粋）：

被測定デバイスの電圧又は電流を検出し、検出結果に応じて被測定デバイスへ印加する電圧又は電流を制御する半導体試験装置のデバイス用電源制御方法であって、検出結果が所定期間以上第1の設定値を超えたとき被測定デバイスへ印加する電圧又は電流を制御するステップと、検出結果が第1の設定値より大きい第2の設定値を超えたとき被測定デバイスへ印加する電圧又は電流を制御するステップとを含むことを特徴とする半導体試験装置のデバイス用電源制御方法。

IPC (3件)：

G01R 31/319 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28

FI (4件)：

G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 R ,  G01R 31/28 P ,  G01R 31/28 M

Fターム (10件)：

2G003AA07 ,  2G003AB01 ,  2G003AE01 ,  2G003AE10 ,  2G003AH07 ,  2G132AA01 ,  2G132AD01 ,  2G132AE14 ,  2G132AE22 ,  2G132AE27