特許
J-GLOBAL ID：200903021608077173
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157376
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354765
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】固体撮像装置周辺回路の基板電圧設定回路に含まれる不揮発性メモリトランジスタは、それに光が入射すると、ゲート電極下の絶縁膜中に捕獲されている電荷がエネルギーを得て捕獲準位から放出され、不揮発性メモリトランジスタのしきい値電圧が変化し、一度設定した基板電圧が変動してしまうという問題点があった。【解決手段】不揮発性メモリトランジスタ上方に、光電変換部の上方に形成される複数種類のカラーフィルタと同じカラーフィルタを全て重ね合わせた膜或いは何種類かを選択して重ね合わせた膜を形成し、光遮蔽膜とすることで不揮発性メモリトランジスタへの光の入射を防ぎ、基板電圧設定回路を安定なものとする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介してを覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に形成された第1層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を覆うべく前記第1層間絶縁膜を介して設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周辺にあって不揮発性メモリトランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (9件)：
H01L 27/14
, H01L 27/115
, H01L 27/10 461
, H01L 27/146
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H04N 5/335
, H04N 9/07
H01L 27/14 D
, H01L 27/10 461
, H04N 5/335 V
, H04N 9/07 A
, H01L 27/10 434
, H01L 27/14 A
, H01L 29/78 371
