特許
J-GLOBAL ID：200903021614634386
熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168870
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013326
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 従来に較べて不純物の少ない高純度の膜を形成することができ、かつ、スループットの低下を抑えることのできる熱処理方法を提供する。【構成】 半導体ウエハにCVD膜を形成する前に、一旦プロセスチューブ内を、処理温度(例えば600°C)より高い所定の設定温度(例えば700°C)に加熱するとともに、所定の処理圧力(例えば0.1Torr)より低い設定圧力(例えば10-6Torr)の減圧雰囲気とする。この後、プロセスチューブ内を所定の処理温度(例えば600°C)および処理圧力(例えば0.1Torr)に設定してCVD膜を形成する。
請求項（抜粋）：
プロセスチューブ内に被処理物を挿入し、所定の処理温度および所定の処理圧力で、前記被処理物に所定の処理を施す熱処理方法において、前記プロセスチューブに前記被処理物を挿入した後、前記プロセスチューブ内を一旦前記処理圧力より低い圧力および前記処理温度より高い温度に設定し、この後、前記プロセスチューブ内を前記処理圧力および前記処理温度に設定して前記被処理物に所定の処理を施すことを特徴とする熱処理方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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