特許
J-GLOBAL ID:200903021622688746

高浮上特性と高ダンピング特性を有する超電導材料およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩原 康弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-162959
公開番号(公開出願番号):特開平8-012497
出願日: 1994年06月22日
公開日(公表日): 1996年01月16日
要約:
【要約】【目的】 高浮上特性でかつ高ダンピング特性を有する磁気浮上用の超電導材料を簡単な製造プロセスで製造することを目的とする。【構成】 単結晶状の123相中の211相の濃度がモル分率で5〜60%の部分と5%未満の部分が作製時にすでに一体となっていることを特徴とする超電導材料、および混合・成形過程において211相の仕込み組成に濃度分布を有することを特徴とする製造方法である。211相モル濃度が高い部分が高JC の特性を有して浮上機能を担い、211相モル濃度の低い部分が低JC の特性を有してダンピング機能を担う。
請求項(抜粋):
単結晶状のREBa2 Cu3 O7-X 相(REはYを含む希土類元素あるいはそれらの組み合わせ、以下123相と略す)中にRE2 BaCuO5 相(以下211相と略す)が分散している超電導材料において、123相中に分散した211相の濃度がモル分率で5〜60%である部分Aと211相の濃度がモル分率で5%未満である部分Bからなることを特徴とする高浮上特性と高ダンピング特性を有する超電導材料。
IPC (5件):
C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565

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