特許
J-GLOBAL ID：200903021628612970
透明導電膜および透明導電膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303600
公開番号（公開出願番号）：特開平7-157863
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月20日
要約：
【要約】【目的】 室温の成膜により従来のIn2 O3 -SnO2 系と同等の低抵抗値を有する透明導電膜を提供しようとするものである。【構成】 酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸化物がRe/Inの比で0.01〜1.0の割合にて添加されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸化物がRe/Inの比で0.01〜1.0の割合にて添加されていることを特徴とする透明導電膜。
IPC (2件)：
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