特許
J-GLOBAL ID：200903021630962989

光電変換素子および電子機器

発明者：
篠原 祐治

篠原 祐治 について

, 
安食 嘉晴

安食 嘉晴 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-345087
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159334
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】光電変換効率に優れる光電変換素子、および、かかる光電変換素子を備える電子機器を提供する。【解決手段】光電変換層は、n型半導体層の表面に、下記一般式(1)で表される化合物を化学結合させてなる。[式中、Z1、Z2、Z3およびZ4は、それぞれ独立して、水素原子、または水酸基と反応し得る反応性基を有する置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ただし、Z1、Z2、Z3およびZ4のうちの少なくとも1つは、水酸基と反応し得る反応性基を有する置換基を表す。また、8つのRは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Yは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも1つ含む基を表す。]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
負極および正極と、 前記負極と前記正極との間に設けられ、主として酸化物系無機半導体材料で構成された半導体層を含む光電変換層と、 前記半導体層に接触して設けられ、電子および正孔のうちの少なくとも一方を輸送する機能を有するキャリア輸送層とを有し、 前記光電変換層は、前記半導体層の表面に、下記一般式(1)で表される化合物を化学結合させてなることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (9件)：
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20 ,  5H032HH10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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