特許
J-GLOBAL ID:200903021633692419

半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-257848
公開番号(公開出願番号):特開2001-085457
出願日: 1999年09月10日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップの電極パッドのバリアメタルの製造工数を低減する。半導体装置の製造作業効率を向上する。【解決手段】 半導体基板の回路形成面上に電極パッドが形成された複数の半導体チップ領域が、スクライブ領域によりそれぞれ分割された半導体ウエハであって、前記それぞれの電極パッドが、電解メッキ用の電流供給線と接続してなる半導体ウエハ及びこれを用いた半導体装置ならびに製造方法である。
請求項(抜粋):
半導体基板の回路素子形成面上に電極パッドが形成された複数の半導体チップ領域が、スクライブ領域によりそれぞれ分割された半導体ウエハであって、前記半導体チップ領域以外の領域に、前記電極パッドの電源用電極を有する電解メッキ用の電流供給線が形成され、該電流供給線がそれぞれの電極パッドに電気的に接続されてなることを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (3件):
H01L 21/60 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/3205
FI (4件):
H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 604 M
Fターム (6件):
5F033HH07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033VV07 ,  5F033XX37

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