特許
J-GLOBAL ID：200903021635312443
半導体装置の現像処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198444
公開番号（公開出願番号）：特開平8-062859
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の現像後のリンス中またはリンス後の乾燥時にリンス液の表面張力を下げレジストパターンの倒れを防止できる半導体装置の現像処理方法を得ること。【構成】 半導体基板1上のフォトレジストを塗布し露光して現像しパターン形成後、純水9でリンスする現像処理方法において、リンス中もしくはリンス後の純水9にアルコール15を加えリンス液をアルコールとの混合液とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にフォトレジストを塗布し露光して現像しパターン形成後、純水でリンスする現像処理方法において、上記リンス中もしくはリンス後の上記純水にアルコールを混入させ上記半導体基板上のリンス液の表面張力を低下させたことを特徴とする半導体装置の現像処理方法。
IPC (2件)：
G03F 7/32 501
, H01L 21/027
