特許

J-GLOBAL ID：200903021640531951

プラズマ処理装置

発明者： 渡辺 成一 ,  角屋 誠浩 ,  田村 仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064751
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260595
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】エッチングの微細加工および金属汚染の防止に好適なプラズマ処理装置の提供。【解決手段】処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材に高周波電圧を印加する手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置とから成るプラズマ処理装置において、プラズマ電位Vpに近い正電圧を印加した電極を有するように構成した。

請求項（抜粋）：

処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材に高周波電圧を印加する手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置とから成るプラズマ処理装置において、正電圧を印加した電極を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (23件)：

4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DG15 ,  4K057DM03 ,  4K057DM20 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB14 ,  5F004BD03 ,  5F004CA03 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH03 ,  5F045EH13 ,  5F045EH17 ,  5F045HA03