半導体記憶装置及びその駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348489
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】同一のデータバスT,Bを使用し、データを相補信号化して伝送することにより書込み及び読出しを行う構成の半導体メモリにおいて、ライト動作に続けてリード動作を行なうサイクルを高速化させるときに生じる、プリチャージ不足が原因の誤リード、データの破壊、ライトデータの信頼性低下を防止する。【解決手段】メモリセルアレイ部1、I/OデータバスT,B、データバスをVDDレベルに充電するプリチャージ回路4、ライトバッファ5、リードバッファ6に対し、補助プリチャージ回路10を設ける。ライト動作中に、プリチャージ回路4による本来のプリチャージに先立って、予めデータバスT,Bを、プリチャージレベルVDDより低いVDD-q×VTNのレベルに補助プリチャージする。プリチャージ回路4による本来のプリチャージの際にデータバスT,Bに供給すべき電荷量が少ないので、短時間でVDDレベルに充電できる。

請求項（抜粋）：

データを記憶するメモリセルを行、列に配置したメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの行を選択するためのワード線と、前記メモリセルアレイの列毎に設けられて、メモリセルが記憶しているデータ又はメモリセルに記憶させるデータを伝送する、相補のディジット線と、前記メモリセルアレイの列毎に設けられて、前記相補のディジット線間の電位差を増幅するセンスアンプと、前記ディジット線にカラムスイッチを介して接続される、入出力用の一対の相補のデータバスと、ライト制御信号に応じて活性化されて、外部より入力された前記メモリセルに書き込まれるべきライトデータを取り込み、前記データバスに相補の信号として伝送するライトバッファと、前記データバスを所定の第1の電位に充電する第1のプリチャージ回路と、ライト動作の期間に前記データバスを前記第1の電位より低位の第2の電位に充電する第2のプリチャージ回路とを少なくとも備える半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 11/34 354 R , G11C 11/34 353 F

Fターム (6件)：

5B024AA15 , 5B024BA07 , 5B024BA21 , 5B024BA23 , 5B024BA29 , 5B024CA07

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