3-5族化合物半導体の製造方法及び装置並びに3-5族化合物半導体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151242
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051457
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】複数種類の原料ガスを用いて副反応の発生なしに薄膜結晶を基板上に良好に成長させること。【解決手段】複数の原料ガスA、B、Cをそれぞれ通路61、62、63を通して分離状態で基板Sの近傍にまで導き、別途反応装置2内に導いた吹付ガスDを通路64の吹出口64Aから吹き出させ、これによって基板Sの近傍にある複数の原料ガスA、B、Cを基板S方向に吹き付ける。この結果、複数の原料ガスA、B、Cがここではじめて混合されて基板Sの表面と接触し、基板S上にHVPE法又はMOCVD法により目的とする薄膜結晶を良好に形成して3-5族化合物半導体を製造することができる。

請求項（抜粋）：

薄膜結晶層を成長させるべき基板が設置された反応装置内に複数種類の原料ガスを導入し、該基板上にハイドライド気相エピタキシャル成長法又は有機金属熱分解法により薄膜結晶層を形成して3-5族化合物半導体を製造するための方法において、前記複数の原料ガスを分離状態で前記基板の近傍にまで導き、別途前記反応装置内に導いた吹付ガスによって前記基板の近傍にある前記複数の原料ガスを混合したうえで、前記基板方向に吹き付けるようにしたことを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , C30B 29/38

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , C30B 29/38 D

Fターム (43件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EF02 , 4G077EG22 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TH05 , 4G077TH11 , 4G077TK01 , 4K030AA05 , 4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB13 , 4K030CA05 , 4K030DA03 , 4K030EA03 , 4K030EA08 , 4K030FA10 , 4K030KA49 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB04 , 5F045BB09

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