特許
J-GLOBAL ID：200903021657710752
半導体基板およびその製造方法ならびにその使用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-246165
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339946
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【課題】 有効利用面積の減少、機械的強度の低下およびレジスト膜の不均一化を伴なわない半導体基板およびその製造方法ならびにその使用方法を提供する。【解決手段】 外周が全体にわたって円形状のシリコンウェハ1の所定領域にシリコンウェハ1の結晶方位を検出するための被検出標識2を形成する。
請求項（抜粋）：
その外周部が全体にわたって円形状を有する半導体ウェハと、前記半導体ウェハの表面の所定領域に形成され、前記半導体ウェハの結晶方位を検出するための被検出標識とを備えた、半導体基板。
FI (2件)：
H01L 21/02 A
, H01L 21/02 B
