特許
J-GLOBAL ID：200903021661942129
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259651
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097803
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光装置に関し、SiCからなる基板を用い、エピタキシャル成長層の表面状態を良好に維持しながら、活性層や光閉じ込め層に加わる歪みを小さく抑えることができるようにする。【解決手段】 6H-SiC(0001)C 基板11とn-Al0.1 Ga0.9 N第1バッファ層12との界面からエピタキシャル成長層表面側に向かって0.2〔μm〕〜0.4〔μm〕までの領域に在るエピタキシャル成長層がAl組成0〔%〕乃至9〔%〕以下のAlGaN層であると共にこのAlGaN層と同じAl組成をもつn-Al0.05Ga0.95N光閉じ込め層15或いはp-Al0.05Ga0.95N光閉じ込め層17が含まれている。
請求項（抜粋）：
SiC基板とエピタキシャル成長層との界面からエピタキシャル成長層表面側に向かって0.2〔μm〕〜0.4〔μm〕までの領域に在るエピタキシャル成長層がAl組成0〔%〕乃至9〔%〕以下のAlGaN層であると共にこのAlGaN層と同じAl組成をもつAlGaN光閉じ込め層が含まれてなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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