高耐圧半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256586
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112216
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、接合終端部にpn接合が無い場合や、pn接合の形成が困難な拡散係数が小さい基板を用いた場合でも、耐圧の大きい高耐圧半導体装置を提供すること。【構成】ショットキーバリアダイオードが形成されたn型SiC基板10の主電流領域1と、n型SiC基板10の接合終端領域3内に形成されたアノード電極6と電気的に分離された溝2とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された素子の主電流が流れる領域と、前記主電流の流れる領域を囲むように形成され、且つ前記主電流が流れる電極と電気的に分離された溝を内部に有する接合終端領域とを具備してなることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/06 , H01L 29/74

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-053969
特開昭53-020869
特開昭58-100454

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