特許
J-GLOBAL ID：200903021667469522
絶縁膜の平坦化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078762
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288253
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 埋め込み性に優れた方法で形成した絶縁膜を、CMP法によってエッチバックすることにより、埋め込み性に優れた、ほぼ完全に平坦な層間絶縁膜を形成し得るようにし、特にCMP処理によりエッチバックするに好適なエッチングストップを用いることにより、高い制御性で絶縁膜の平坦化を行わんとするものである。【構成】 半導体基板の表面に配線を形成することにより形成された凹凸を有する基板表面に有機珪素化合物を原料とするCVD法により絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の下側または上側に、あるいは配線用金属膜上に、前記絶縁膜に比較してCMPエッチング速度の遅い膜を形成し、該CMPエッチング速度の遅い膜をエッチングストップとして用いて前記基板の凸部上に形成された前記絶縁膜の少なくとも一部をCMP処理によりエッチバックする。
請求項（抜粋）：
半導体基板を設け、該半導体基板の表面に配線を形成し、該配線の形成された半導体基板の凹凸を有する表面に有機珪素化合物を原料とするCVD法によって、または絶縁性物質あるいはその前駆体の溶液を塗布することによって前記基板上に絶縁膜を形成し、前記基板の凸部上に形成された前記絶縁膜の少なくとも一部をCMP処理によりエッチバックするようにしたことを特徴とする絶縁膜の平坦化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 321
