特許
J-GLOBAL ID：200903021674497841
現像方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011400
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263336
出願日： 1986年12月29日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハ面に形成される線幅等を均一化することのできる現像方法を提供する。【構成】 回転機構5により被処理基板3を回転させ、ノズル6aからスプレ-スキャンしながら現像液を供給する。この間は、シャッタ11を開とし、10〜 20mmH2 O 程度の排気量で処理室2からの排気を行なう。この後、回転およびスプレ-スキャンを停止し、あらかじめ設定された例えば30秒等の所定の現像時間の間、パドル現像により、被処理基板表面に形成されたフォトレジスト等の感光性膜の現像を行なう。この現像工程中は、シャッタ11を閉塞し、所望の均一性が得られる排気量とする。
請求項（抜粋）：
表面に感光性膜が形成された被処理基板が配置される処理室内を、所定の排気量で排気しつつ、回転テーブルに保持された前記被処理基板を第1の回転速度で回転させながら現像液を前記被処理基板表面に供給する工程と、前記現像液の供給を停止するとともに前記回転テーブルを停止させ、前記処理室内の排気を前記被処理基板の現像処理の均一性が所望の範囲となる排気量にまで減少させ、前記被処理基板を前記被処理基板表面に供給した前記現像液で現像する工程と、前記処理室内の排気量を増加させると共に、前記回転テーブルを前記第1の回転速度より速い第2の回転速度で回転させつつ、前記被処理基板表面にリンス液を供給する工程と、前記リンス液の供給を停止した後、前記回転テーブルを前記第2の回転速度より速い第3の回転速度で回転させ、前記被処理基板表面を乾燥させる工程とを有することを特徴とする現像方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/30 502
