液相成長方法および液相成長装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402289
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203799
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】液相成長によりウエハ上に形成される堆積膜の膜厚をウエハ全体に亙って均一化する。【解決手段】ウエハ支持ピンで保持したウエハを成長材料含有溶液の中に浸漬してウエハ上に堆積膜を成長させる。その場合に通気孔を使用してルツボを満たしている溶液の中心部にも雰囲気ガスを送り込み、溶液の中心部も積極的に冷やす。

請求項（抜粋）：

ルツボ内に溜めた溶媒に成長材料を溶かし込んで溶液を調製し、前記溶液に基板を浸し、前記溶液からの液相成長によって前記基板上に堆積膜を成長させる方法において、冷却手段により前記溶液の中央部を冷やすことを特徴とする液相成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/208 , C30B 19/06 , C30B 29/06 501 , C30B 29/08 , C30B 29/42

FI (5件)：

H01L 21/208 D , C30B 19/06 Z , C30B 29/06 501 B , C30B 29/08 , C30B 29/42

Fターム (25件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077BA05 , 4G077BE46 , 4G077CG02 , 4G077CG06 , 4G077EG02 , 4G077EG14 , 4G077EG18 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA34 , 4G077QA38 , 4G077QA54 , 5F053AA03 , 5F053AA22 , 5F053BB53 , 5F053BB54 , 5F053BB55 , 5F053DD01 , 5F053DD03 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053RR01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体基板の液相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-347222 出願人：スタンレー電気株式会社
半導体薄膜の製造方法及び半導体薄膜の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-342963 出願人：キヤノン株式会社
半導体液相エピタキシャル装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-302926 出願人：シャープ株式会社

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