特許

J-GLOBAL ID：200903021676888643

磁性半導体装置および磁性記録・再生装置

発明者： 野津 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237029
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087796
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】高感度かつ高速応答可能な磁気ヘッドを実現する。【解決手段】p型エミッタ層としてのp型GaAs層10、n型ベース層としてのn型GaAs層11、p型コレクタ層としてのp型磁性半導体層(In0.95Mn0.05As層)2、p型エミッタコンタクト層としてのp型GaAs層12を順次積層し、p型GaAs層10にエミッタ電極としてのp型オーミック電極13、n型GaAs層11にベース電極としてのn型オーミック電極14、p型磁性半導体層2にコレクタ電極としてのp型オーミック電極15をそれぞれ設けてなるバイポーラトランジスタ構造を磁気ヘッドとして使用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられ、内部のキャリア密度により磁気秩序が変化する第1導電型の第1の半導体層と、この第1の半導体層中のキャリア密度を変化させ、前記第1の半導体層の磁気秩序を制御するための制御電極とを具備してなることを特徴とする磁性半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 43/00 ,  G11B 5/31 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01L 43/00 ,  G11B 5/31 Z ,  H01L 29/66