特許

J-GLOBAL ID：200903021678558870

MIM/MIS電子源およびその製造方法

発明者： 田崎 明 ,  岩本 要司
出願人/特許権者： 田崎 明 ,  大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171379
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007499
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 所定面内で、均一かつ安定した電子放出が可能であり、また、製造プロセスが簡便なMIM/MIS電子源およびその製造方法を提供する。【構成】 500torrの第1のチャンバ内にヘリウムと酸素を導入し、アルミニウムを蒸発させ、表面が酸化膜(Al2O3)に覆われた直径20nm程度の超微粒子Alを生成する。この超微粒子を第2のチャンバ内に導入し、ノズルから吹き出させて、下部電極層5の上面に吹き付け、微粒子層6を形成する。この微粒子層6の上面に厚み10nm程度の金の薄膜7を形成する。点PQ間に電圧V1を印加すると、Al→Al2O3→AuというMIM接合においてトンネル電流が流れ、薄膜7の上面から対向電極8に向けて電子放出が起こる。

請求項（抜粋）：

表面が絶縁層によって覆われた第1の導電性材料からなる微粒子を多数充填することにより構成された微粒子層と、この微粒子層の下面に形成された下部電極層と、この微粒子層の上面に形成された上部電極層と、を有し、前記絶縁層はトンネル効果により電子が通り抜けることが可能な厚みをもち、前記上部電極層は前記第1の導電性材料とは異なる第2の導電性材料からなり、前記第1の導電性材料と前記第2の導電性材料とは互いにフェルミレベルが異なる金属もしくは半導体によって構成され、前記第1の導電性材料のフェルミレベルは、前記第2の導電性材料のフェルミレベルよりも高く、前記上部電極層と前記下部電極層との間に所定の電圧を印加したときに、両者間に電流が流れるのに十分な密度で、前記微粒子が充填されていることを特徴とするMIM/MIS電子源。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

FI (3件)：

H01J 1/30 B ,  H01J 1/30 C ,  H01J 9/02 B