特許

J-GLOBAL ID：200903021681031114

酸化膜の作製方法及び酸化膜の作製装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-291764
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115904
出願日： 1995年10月14日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【目的】信頼性の優れたゲイト絶縁膜を提供する。【構成】 ヒータ218によりウェハWを加熱しながら、水素燃焼バーナ220により、乾燥窒素ガス及び乾燥酸素ガスを反応管217内に供給して、雰囲気を制御する。シリコンを酸化する際には、バブラ219を使用して水を1000ppm濃度の濃度で供給し、水素燃焼バーナ220から酸素を供給して、シリコンをウェット酸化する。次に、排気系212により減圧状態にしたのちに、バブラ219により水の濃度を3ppmに保持しながら、窒化処理ガス供給系221から一酸化二窒素を供給して、酸化シリコンを窒化させる。

請求項（抜粋）：

シリコン膜を酸化する酸化工程と、該酸化工程の後に、チャンバ内を減圧状態にする工程と、前記チャンバに窒素化作用を有する気体を供給しながら、酸化されたシリコン膜を窒化する窒化工程とを有する酸化膜の作製方法において、前記窒化工程時の水の濃度を1ppm以上10ppm以下とすることを特徴とする酸化膜の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S ,  H01L 27/10 434