特許

J-GLOBAL ID：200903021685509981

スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

発明者： 久保井 健
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020568
公開番号（公開出願番号）：特開平11-222671
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 面心立方が安定な組成を有するターゲットに対して漏洩磁束を高めることができる新しいターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 クロム12〜27原子%、タンタル3〜13原子%、好ましくは白金またはニッケルの一種または二種を30原子%以下、あるいはニオブを10原子%以下含有し、残部がコバルトを主体とする組成を有し、主として面心立方組織を有し、保磁力が500A/m以上であるスパッタリング用ターゲットである。上述した本発明のターゲットは、上記組成を有し、面心立方組織に調整した素材を、400〜1100°Cの温度範囲において、面心立方組織の(200)面に相当するX線回折ピークの半価幅を拡げる熱処理を行うことにより得ることができる。

請求項（抜粋）：

クロム12〜27原子%、タンタル3〜13原子%含有し、残部がコバルトを主体とする組成を有し、主として面心立方組織を有し、保磁力が500A/m以上であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (10件)：

C23C 14/34 ,  C22C 19/07 ,  C22F 1/10 ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 684 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 694

FI (10件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 19/07 M ,  C22F 1/10 J ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 661 D ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 684 C ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 694 B