特許

J-GLOBAL ID：200903021688653480

半導体装置の製造法

発明者： 島内 一文
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-112274
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283352
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入法や低温拡散法によらず、従来の設備を用いて不純物濃度を1017オーダ以下に低減できる半導体装置の製造法を提供する。【構成】 N型半導体基板1内に軽くN型不純物2を拡散し、しかるのち、先に形成されたN型不純物拡散領域2を包含するようにして、N型不純物拡散領域2の上からP型不純物4の拡散を行うものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に該半導体基板と同じ導電型の第1不純物拡散層を形成する工程と、前記第1不純物拡散層の上から前記第1不純物とは異なる導電型の第2不純物拡散層を、前記第1拡散層を包含するように形成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造法。